陳蓉教授應邀赴比利時微電子中心IMEC 參加第四屆選擇性沉積(ASD 2019)研討會

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2019-04-25 09:04:49 作者: 所屬分類:學術動態, 未分類 閱讀:199

2019年4月4日至4月5日,第四屆選擇性沉積研討會Area Selective Deposition (ASD) Workshop 2019在比利時魯汶市(Leuven, Belgium)微電子研究中心IMECInteruniversity Microelectronics Centre)舉行,這次會議由IMECASM聯合舉辦。

IMEC成立于1984年,總部設在比利時魯汶市,其研究方向主要集中在微電子、納米技術、輔助設計方法、以及信息通訊系統技術(ICT)、IMEC 致力于集成信息通訊系統設計、硅加工工藝、硅制程技術和元件整合等。

作為全球微電子制造在技術節點走在最前沿,且納米電子和數字技術領域世界領先的研發創新中心, IMEC通過精密光刻技術不斷縮短芯片上電路與電路之間的距離,提高通信效率和運算速度,目前已經生產出3納米的芯片,迄今為止是世界最高水平。2018年10月,李克強總理在比利時出席亞歐首腦會議間隙,在比利時副首相兼經濟大臣皮特斯陪同下,專門抽出時間,從首都布魯塞爾來到魯汶市,參觀考察IMEC,并詳細了解高精度納米芯片的投產時限、能效和在民生領域應用等情況。

IMEC舉辦的選擇性ALD2019研討會上,陳蓉教授應邀進行了題為“Bimetallic nanocomposite catalysts fabricated by area selective atomic layer deposition and applications的大會報告,介紹了利用課題組開發的基于區域選擇性原子層沉積的雙金屬納米復合催化劑的納米結構可控制備方面的最新進展——利用基底吸附能與前驅體鍵合能作為共同內稟驅動力,提升納米顆粒晶面與原子臺階位的定位沉積精度,應用于提升催化劑反應活性位點精細調控與性能。發展的選擇性原子層沉積技術有望適用于微電子制造自對準薄膜生長,提升定位精度,簡化制程。陳蓉教授的報告得到了與會專家學者的廣泛關注和興趣,引起了熱烈的討論。國際ALD Academy兩位創始人之一、荷蘭埃因霍芬理工大學納米制造中心主任、ASML高級顧問Kessels教授認為相關工作“提供了納米尺度調控新方法,首次展示了獨特的選擇性原子層沉積法在自下而上納米制造中原子級的可控精度”。

陳蓉教授赴荷蘭出席ASD2019大會并作邀請報告

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