陳蓉 教授

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2014-09-11 22:09:10 作者: 所屬分類:教師 閱讀:4443

一、個人基本情況

陳蓉,女,1978年8月出生。教授,博導。中國科學技術大學獲得學士學位,美國斯坦福大學(Stanford)碩士、博士學位。曾在美國應用材料公司及英特爾研究院擔任高級技術職務。中國青年科技創新領軍人才計劃,教育部“新世紀人才支持計劃”獲得者,973青年項目首席科學家,湖北省杰出青年基金獲得者,湖北省特聘專家。 擔任國家973國家重大科學研究計劃--青年科學家專題項目首席科學家,主持國家自然科學基金項目。圍繞著原子層沉積、納米顆粒制備、薄膜工藝與設備開發,承擔了多項新能源與微電子相關項目的研究,是選擇性原子層沉積技術的先驅者之一。獲美國半導體研究協會Simon Karecki獎、首屆德州儀器微電子領域女性領袖獎、英特爾研究院杰出執行和創新實踐獎等。所在團隊2008年獲得Frost & Sullivan北美先進海量存儲芯片方案技術創新獎,AlwaysOn 全球250入選杰出團隊,以及美國英特爾公司加利福尼亞技術制造部門獎等一系列榮譽稱號。在Advanced Materials, ACS Nano, Energy & Environmental Science等國際知名期刊上發表論文30余篇;微納制造領域發明專利14項,其中5項為美國專利,3項國際專利;主編撰寫“十二.五”重點出版物一部;在相關領域的國際學術會議作特邀報告及其他報告40余次。 中國硅酸鹽學會薄膜與涂層分會理事、中國機械工程學會高級會員、中國真空學會高級會員、PM2.5污染治理示范工程研討組成員,美國IEEE、MRS、APS、ACS、ECS學會會員;美國勞倫斯-伯克利國家實驗室開放基金特邀專家評審組成員,曾擔任英特爾風險投資部門納米材料及新能源技術顧問及學術基金部門顧問;擔任ACS Nano、Applied Physics Letters、Journal of Applied Physics等國際權威期刊審稿人;擔任美國NSF和中國NSFC基金評委、國家科學技術獎評委、國際科技合作專家等。

二、主要研究方向

微納制造、納米材料生長工藝及設備開發,薄膜制備工藝及應用;原子層沉積技術、微電子和新能源領域的納米器件開發。
將實驗和理論相結合,研究納米薄膜生長工藝及設備開發,用來解決未來電子和能源工業所即刻面臨的挑戰。研究的重點在于控制納米材料的生長、結構、及其性能,用于制造和表征具有精確的物質組成、以及原子尺度上可控的納米結構,將其整合成納米器件,并開發相關高精度生長設備。

三、近年的科研項目、專著與論文、專利、獲獎

2013-2017 “高效金屬-氧化物復合催化劑的理性設計與性能調控”, 973國家重大科學研究計劃青年科學家專題項目
2012-2014 “利用原子層沉積法實現可控組份、大小的納米催化顆粒生長”,國家自然科學基金資助項目
2012-2013 “常壓原子層沉積系統設計與機理研究”,華中科技大學自主創新研究基金- 前沿探索基金項目
2011-2013 “利用原子層沉積生長納米顆粒的理論與實驗研究”,數字制造裝備與技術國家重點實驗室自主課題
2009-2013 “納米材料超級電容器研究”,英特爾研究院
2007-2009 “微機電系統為基礎的超大密度非易失性數據存儲器”,英特爾-Nanochip聯合開發團隊
2005-2008 “無機混合太陽能材料的原子層沉積技術”,斯坦福大學全球氣候與能源(GCEP)項目
2004-2007 “運用原子層沉積技術制造固態氧氣燃料電池的催化層”,本田公司
2003-2006 “具有區域選擇性的原子層沉積技術在高介電常數場效應管中的應用”,美國國家自然科學基金和半導體研究協會(NSF-SRC)

部分代表作
1. Chen Zhou, Xiao Liu, Chunzheng Wu, Yanwei Wen, Yejian Xue, Rong Chen, Zhaoliang Zhang, Bin Shan, Hongfeng Yin, Wei Guo Wanga “NO Oxidation Catalysis on Copper Doped Hexagonal Phase LaCoO3: A Combined Experimental and Theoretical Study” Phys. Chem. Chem. Phys., 2014, 16, 5106.
2. Qingbo Wang, Yanwei Wen, Rong Chen, Bin Shan, “A hybrid functional study of the electronic and optical properties of tetragonal PbO-type phase of ZnO under pressure”, J. Alloys Compd. 2013, 10, 127.
3. Stephanie L. Candelaria, Rong Chen, Yoon-Ha Jeong, Guozhong Cao, “Highly porous chemically modified carbon cryogels and their coherent nanocomposites for energy applications”, Energy Environ. Sci. 2012, 5, 5619.
4. Rong Chen, Zhengzheng Chen, Bo Ma, Xiaohong Hao, Neeti Kapur, Jangsuk Hyun, Kyeongjae. Cho, Bin Shan, “CO adsorption on Pt(111) and Pd(111) surfaces: a first-principles based lattice gas Monte-Carlo study”, Comp. Theo. Chem. 2012, 987, 77.
5. Zhengzheng Chen, Bin Shan, Rong Chen, “Electronic origin of the phase transition in ternary alloy Mo(Si1?x,Alx)2”, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 101903.
6. Noureddine Tayebi, Yuegang Zhang, Robert J. Chen, Quan Tran, Rong Chen, Yoshio Nishi, Qing Ma, Valluri Rao, “An ultraclean tip-wear reduction scheme for ultrahigh density scanning probe-based data storage”, ACS Nano 2010, 4 (10), 5713.
7. Rong Chen, Stacey F. Bent, “Chemistry for positive pattern transfer by area-selective atomic layer deposition” Adv. Mater. 2006, 18, 1086.
8. Rong Chen, Stacey F. Bent, “Highly stable monolayer resists for atomic layer deposition on germanium and silicon” Chem. Mater.2006, 18, 3733.
9. Rong Chen, Hyoungsub Kim, Paul C. McIntyre, David W. Porter, Stacey F. Bent, “Achieving area-selective atomic layer deposition on patterned substrates by selective surface modification” Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 191910.
10. Rong Chen, Hyoungsub Kim, Paul C. McIntyre, Stacey F. Bent, “Investigation of self-assembled monolayers as deactivating agents for atomic layer deposition of HfO2 high-k gate dielectric” Chem. Mater. 2005, 17, 536.
11. Rong Chen, Hyoungsub Kim, Paul C. McIntyre, Stacey F. Bent, “Self-assembled monolayer resist for atomic layer deposition of HfO2 and ZrO2 high-k gate dielectrics” Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4017.

四、對考生的基本要求

歡迎有志于從事博士后研究的學者加盟!
歡迎肯動腦筋、學習能力強、有責任心的同學報考并加入納米制造及薄膜技術研究組。讀碩士和博士學位的考生應具有扎實的基礎、學習能力強、英文說寫熟練、對微納制造相關工藝及設備有濃厚興趣。歡迎機械制造、機械電子等專業的同學報考,也特別歡迎具有材料、電子、化學、物理及工程等交叉背景的同學報考。希望在這個嚴謹認真、多學科交叉的集體里,度過充實而有意義的科研學習時光。

 

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